在半導體封裝工藝中,銅引線框架憑借其優(yōu)異的導電性、導熱性和加工性能,成為主流的芯片載體材料。然而,銅在空氣中極易氧化,形成的氧化層(如CuO、Cu?O)不僅會降低引線框架的表面活性,還會導致封裝過程中的分層、鍵合失效等問題,嚴重影響產(chǎn)品的可靠性和良率。
等離子清洗技術(shù)能夠在短時間內(nèi)徹底去除銅引線框架表面的氧化層。例如,采用Ar/H?混合氣體(比例1:4)進行等離子清洗時,可將表面氧含量降至0.1at%以下,遠低于傳統(tǒng)化學清洗的殘留水平。實驗數(shù)據(jù)顯示,經(jīng)過等離子清洗的銅引線框架,其表面水滴角從清洗前的70°以上降低至15°以下,表明表面活性顯著提升。
與傳統(tǒng)的酸洗工藝相比,等離子清洗無需使用強酸強堿等化學試劑,避免了廢水排放和環(huán)境污染問題。清洗過程中產(chǎn)生的揮發(fā)性物質(zhì)可通過真空泵直接排出,符合綠色制造的發(fā)展趨勢。
等離子清洗技術(shù)適用于各種形狀和尺寸的銅引線框架,且不會對材料造成機械損傷。其低溫處理特性(通常低于100℃)避免了高溫對芯片和封裝材料的熱影響,確保了產(chǎn)品的性能穩(wěn)定性。
等離子清洗后的銅引線框架表面潔凈度和活性顯著提高,能夠增強與封裝材料(如環(huán)氧樹脂、塑封料)的粘接強度,減少分層和空洞現(xiàn)象。實際應用中,經(jīng)過等離子清洗的封裝產(chǎn)品,其分層率可降低50%以上,良率提升20%以上。
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