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VAP系列 晶圓級等離子活化系統
應用:晶圓級封裝前表面預處理、晶圓級鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機殘留去除等。

特點:可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室,有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小,可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
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編號 內容 規格參數
1 整機結構 帶load port系統分為前端設備操作單元、前端EFEM單元及等離子處理單元,前端EFEM系統與等離子體處理單元分體式設計
2 等離子體源 射頻等離子體源或雙頻等離子體源
3 反應腔室 標準設計為雙反應腔室,可根據需求定制單反應腔室和多反應腔室結構
4 機械傳片 單臂或雙臂高精度機械手
5 Wafer升降 機械式Wafer pin升降結構,Wafer pin采用特定工藝處理
6 前真空泵 干式真空泵,根據安裝位置及工藝不同,選擇100-300m3/h規格
7 高真空真空泵 分子泵(水冷或CDA冷卻)
8 工藝壓力控制 自動調壓蝶閥
9 真空檢測 管道真空計、反應腔室全量程真空計、工藝真空計、壓差開關
10 工藝氣體種類 標準配置高純Ar、N2、O2,可增加其他高純工藝氣體
設備主要應用:晶圓級封裝前表面預處理、晶圓級鍵合前表面活化、光刻膠涂覆前表面活化、晶圓表面較小particle去除、表面有機殘留去除等。
設備主要特點:可兼容多尺寸晶圓、可實現多反應腔室定制、超潔凈反應腔室,有效控制各種污染物、整機空間環境污染物控制、射頻等離子發生器或雙頻等離子發生器、晶圓表面損傷小,可用于帶圖形晶圓的表面活化、等離子體密度高、均勻性好。
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